Серия с одной трубкой 905nmAPD
Фотоэлектрические характеристики (@Ta=22±3℃) | |||||||||
Модель | ГД5210И-2-2-Т046 | ГД5210И-2-5-Т046 | ГД5210И-2-8-Т046 | GD5210Y-2-2-LCC3 | GD5210Y-2-5-LCC3 | ГД5210И-2-2-П | ГД5210И-2-5-П | Множество | |
Форма упаковки | ТО-46 | ТО-46 | ТО-46 | LCC3 | LCC3 | пластиковая упаковка | пластиковая упаковка | печатная плата | |
Диаметр светочувствительной поверхности (мм) | 0,23 | 0,50 | 0,80 | 0,23 | 0,50 | 0,23 | 0,50 | индивидуальные | |
Диапазон спектрального отклика (нм) | 400~1100 | 400~1100 | 400~1100 | 400~1100 | 400~1100 | 400~1100 | 400~1100 | 400~1100 | |
Пиковая длина волны отклика (нм) | 905 | 905 | 905 | 905 | 905 | 905 | 905 | 905 | |
Ответная реакция λ=905 нм Φ=1 мкВт M=100 (А/Вт) | 55 | 55 | 55 | 55 | 55 | 55 | 55 | 55 | |
Темновой ток М=100(нА) | Типичный | 0,2 | 0,4 | 0,8 | 0,2 | 0,4 | 0,2 | 0,4 | По светочувствительности |
Максимум | 1,0 | 1,0 | 2.0 | 1,0 | 1,0 | 1,0 | 1,0 | Одна сторона | |
Время отклика λ=905нм R1=50Ом(нс) | 0,6 | 0,6 | 0,6 | 0,6 | 0,6 | 0,6 | 0,6 | По светочувствительной поверхности | |
Температурный коэффициент рабочего напряжения T=-40℃~85℃(В/℃) | 0,9 | 0,9 | 0,9 | 0,9 | 0,9 | 0,9 | 0,9 | 0,9 | |
Общая емкость M=100 f=1МГц(пФ) | 1,0 | 1,2 | 2.0 | 1,0 | 1,2 | 1,0 | 1,2 |
По светочувствительной поверхности | |
напряжение пробоя ИК=10 мкА(В) | Минимум | 130 | 130 | 130 | 130 | 130 | 130 | 130 | 160 |
Максимум | 220 | 220 | 220 | 220 | 220 | 220 | 220 | 200 |
Структура чипа передней плоскости
Высокая скорость отклика
Высокий коэффициент усиления
Низкая емкость перехода
Тихий шум
Размер массива и светочувствительная поверхность могут быть настроены
Лазерная локация
Лидар
Лазерное предупреждение