Серия модулей InGaAS-APD

Модель: ГД6510И/ГД6511И/ГД6512И

Краткое описание:

Устройство представляет собой модуль лавинного фотодиода InGaAs со встроенной схемой предусилителя, который может преобразовывать слабые.После усиления токового сигнала он преобразуется в выходной сигнал напряжения для реализации процесса преобразования «опто-электрического усиления сигнала».

получить цитату Скачать

Технический параметр

ФУНКЦИИ

ПРИЛОЖЕНИЕ

Теги продукта

Фотоэлектрические характеристики (＠Ta＝22±3℃)
Модель	GD6510Y	GD6511Y	GD6512Y
Форма упаковки	ТО-8	ТО-8	ТО-8
Диаметр светочувствительной поверхности (мм)	0,2	0,5	0,08
Диапазон спектрального отклика (нм)	1000~1700	1000~1700	1000~1700
Напряжение пробоя (В)	30~70	30~70	30~70
Чувствительность M=10 l=1550нм(кВ/Вт)	340	340	340
Время нарастания (нс)	5	10	2.3
Полоса пропускания (МГц)	70	35	150
Эквивалентная мощность шума (пВт/√Гц)	0,15	0,21	0,11
Температурный коэффициент рабочего напряжения T=-40℃~85℃(В/℃)	0,12	0,12	0,12
Концентричность (мкм)	≤50	≤50	≤50
Альтернативные модели той же производительности по всему миру	C3059-1550-R2A	/	C3059-1550-R08B

Структура чипа передней плоскости

Быстрый ответ

Высокая чувствительность детектора

Лазерная локация

Лидар

Лазерное предупреждение