Серия с одной трубкой 1064 нмAPD

Фотоэлектрические характеристики (＠Ta＝22±3℃)

Модель

ГД5210И-3-500

ГД5210И-3-800

GD5211Y

Форма упаковки

ТО-46

ТО-46

ТО-52

Диаметр светочувствительной поверхности (мм)

0,5

0,8

0,8

Диапазон спектрального отклика (нм)

400~1100

400~1100

400~1100

Пиковая длина волны отклика (нм)

980

980

980

Ответная реакция

λ=905нм Φ=1мкВт

М=100

58

58

58

λ=1064 нм Φ=1 мкВт

М=100

36

36

36

Темный ток

М=100(нА)

Типичный

2

4

10

Максимум

20

20

20

Время отклика λ=800нм R1=50Ом(нс)

2

3

3,5

Температурный коэффициент рабочего напряжения T=-40℃~85℃(В/℃)

2.2

2.2

2.2

Общая емкость M=100 f=1МГц(пФ)

1,0

1,5

3,5

Напряжение пробоя

ИК=10 мкА(В)

Минимум

220

220

350

Максимум

580

580

500