Серия с одной трубкой 800 нмAPD

Фотоэлектрические характеристики (＠Ta＝22±3℃)

Модель

ГД5210И-1-2-Т046

ГД5210И-1-5-Т046

GD5210Y-1-2-LCC3

ГД5210И-1-5

-LCC3

Форма упаковки

ТО-46

ТО-46

LCC3

LCC3

Диаметр светочувствительной поверхности (мм)

0,23

0,50

0,23

0,50

Диапазон спектрального отклика (нм)

400~1100

400~1100

400~1100

400~1100

Пиковая длина волны отклика (нм)

800

800

800

800

λ=800нм Φ=1мкВт M=100(А/Вт)

55

55

55

55

Темный ток

Типичный

0,05

0,10

0,05

0,10

М=100(нА)

Максимум

0,2

0,4

0,2

0,4

Время отклика λ=800нм R1=50Ом(нс)

0,3

0,3

0,3

0,3

Температурный коэффициент рабочего напряжения T=-40℃~85℃(В/℃)

0,5

0,5

0,5

0,5

Общая емкость M=100 f=1МГц(пФ)

1,5

3.0

1,5

3.0

Напряжение пробоя IR=10 мкА(В)

Минимум

80

80

80

80

Максимум

160

160

160

160