Четыре квадранта Si PIN Рекомендуемое изображение

Четырехквадрантный Si PIN

Модель: GT111/ GT112/ GD3250Y/ GD3249Y/ GD3244Y/ GD3245Y/ GD32413Y/ GD32414Y/ GD32415Y

Краткое описание:

Он состоит из четырех одинаковых блоков фотодиода Si PIN, который работает в обратном направлении и обеспечивает высокую чувствительность в диапазоне от УФ до БИК.Максимальная длина волны отклика составляет 980 нм.Чувствительность: 0,5 А/Вт при 1064 нм.

получить цитату Скачать

Технический параметр

Теги продукта

Функции

Низкий темновой ток
Высокий отклик
Хорошая квадрантная согласованность
Небольшая отмостка

Приложения

Лазерное наведение, наведение и отслеживание
Для исследовательского устройства
Системы лазерного микропозиционирования, контроля перемещений и точных измерений

Фотоэлектрический параметр（@Ta=25℃）

Предмет #	Категория пакета	Диаметр светочувствительной поверхности (мм)	Спектральный диапазон отклика (нм)	длина волны пикового отклика	Отзывчивость λ=1064нм (кВ/Вт)	Темный ток (нА)	Время подъема λ=1064нм R_L=50 Ом (нс)	Емкость перехода f=1МГц (пф)	Напряжение пробоя (В)
GT111	ТО-8	Ф4	400～1100	980	0,3	5(В_R=40В)	15(В_R=40В)	5(В_R=10В)	100
GT112		Ф6				7(В_R=40В)	20(В_R=40В)	7(В_R=10В)
GD3250Y		Ф8				10(В_R=40В)	25(В_R=40В)	10(В_R=10В)
ГД3249И	ТО-20	Ф10				15(В_R=40В)	30(В_R=40В)	15(В_R=10В)
ГД3244И	ТО-31-7	Ф10			0,4	20(В_R=135В)	20(В_R=135В)	10(В_R=135В)	300
ГД3245И	ТО-31-7	Ф16				50 (В_R=135В)	30(В_R=135В)	20(В_R=135В)
ГД32413И	MBCY026-P6	Ф14				40(В_R=135В)	25(В_R=135В)	16(В_R=135В)
ГД32414И	ТО-8	Ф5.3	400～1150		0,5	4,8 (В_R=140В)	15(В_R=140В)	4,2 (В_R=140В)	≥300
ГД32415И	MBCY026-W7W	Ф11.3	400～1150		0,5	≤20(В_R=180В)	20(В_R=180В)	10(В_R=180В)	≥300