800 нм APD
Функции
- Плоский чип с лицевой подсветкой
- Высокая скорость отклика
- Высокий коэффициент усиления APD
- Низкая емкость перехода
- Тихий шум
Приложения
- Лазерная локация
- Лазерный радар
- Лазерное предупреждение
Фотоэлектрический параметр（@Ta=22±3℃）
| Предмет # | Категория пакета | Диаметр светочувствительной поверхности (мм) | Диапазон спектрального отклика (нм) |
Пиковая длина волны отклика | Отзывчивость λ=800нм фэ=1мкВт М=100 (А/В) | Время отклика λ=800нм RL=50 Ом (нс) | Темный ток М=100 (нА) | Температурный коэффициент Та=-40℃～85℃ (В/℃)
| Общая емкость М=100 f=1МГц (пф)
| Напряжение пробоя IR=10 мкА (В) | ||
| тип. | Максимум. | Мин. | Максимум | |||||||||
| ГД5210И-1-2-ТО46 | ТО-46 | 0,23 |
400～1100
|
800 |
55
|
0,3 | 0,05 | 0,2 | 0,5 | 1,5 | 80 | 160 |
| ГД5210И-1-5-ТО46 | ТО-46 | 0,50 | 0,10 | 0,4 | 3.0 | |||||||
| GD5210Y-1-2-LCC3 | LCC3 | 0,23 | 0,05 | 0,2 | 1,5 | |||||||
| GD5210Y-1-5-LCC3 | LCC3 | 0,50 | 0,10 | 0,4 | 3.0 | |||||||
