Серия модулей 1064nmAPD
Фотоэлектрические характеристики (@Ta=22±3℃) | |||
Модель | ГД6212И | ГД6213И | ГД6219И |
Форма упаковки | ТО-8 | ТО-8 | ТО-8 |
Диаметр светочувствительной поверхности (мм) | 0,8 | 0,8 | 3 |
Диапазон спектрального отклика (нм) | 400~1100 | 400~1100 | 400~1100 |
Напряжение пробоя (В) | 350~500 | 350~500 | 350~500 |
Чувствительность M=100 I=1064нм(кВ/Вт) | 150 | 200 | 280 |
Время нарастания (нс) | 8,8 | 2 | 7 |
Полоса пропускания (МГц) | 40 | 175 | 50 |
Эквивалентная мощность шума (пВт/√Гц) | 0,15 | 0,15 | 2,7 |
Температурный коэффициент рабочего напряжения T=-40℃~85℃(В/℃) | 2.2 | 2.2 | 2,4 |
Концентричность (мкм) | ≤50 | ≤50 | ≤50 |
Альтернативные модели той же производительности по всему миру | C30950 | C30659-1060-R8BH | C30659-1060-3A |
Структура чипа передней плоскости
Высокая частота отклика
Высокая чувствительность детектора
Лазерная локация
Лидар
Лазерное предупреждение
Структура чипа передней плоскости
Высокая частота отклика
Высокая чувствительность детектора
Лазерная локация
Лидар
Лазерное предупреждение