ПРОДУКЦИЯ Фабрика, Поставщики - Китайские производители ПРОДУКЦИИ

Модули InGaAs APD

Это модуль лавинного фотодиода на основе арсенида индия-галлия со схемой предварительного усиления, который позволяет усиливать слабый сигнал тока и преобразовывать его в сигнал напряжения для достижения процесса преобразования усиления фотонного фотоэлектрического сигнала.

РАССЛЕДОВАНИЕ деталь
Четырехквадрантный APD

Он состоит из четырех одинаковых блоков кремниевых лавинных фотодиодов, обеспечивающих высокую чувствительность в диапазоне от УФ до БИК.Максимальная длина волны отклика составляет 980 нм.Чувствительность: 40 А/Вт при 1064 нм.

РАССЛЕДОВАНИЕ деталь
Четырехквадрантные модули APD

Он состоит из четырех одинаковых блоков кремниевых лавинных фотодиодов со схемой предварительного усиления, которая позволяет усиливать слабый токовый сигнал и преобразовывать его в сигнал напряжения для достижения процесса преобразования фотонно-фотоэлектрического усиления сигнала.

РАССЛЕДОВАНИЕ деталь
PIN-модули Si 850 нм

Это 850-нм Si PIN-фотодиодный модуль со схемой предварительного усиления, который позволяет усиливать слабый сигнал тока и преобразовывать его в сигнал напряжения для достижения процесса преобразования усиления фотонного фотоэлектрического сигнала.

РАССЛЕДОВАНИЕ деталь
Si PIN-фотодиод 900 нм

Это фотодиод Si PIN, который работает при обратном смещении и обеспечивает высокую чувствительность в диапазоне от УФ до БИК.Максимальная длина волны отклика составляет 930 нм.

РАССЛЕДОВАНИЕ деталь
Si PIN-фотодиод 1064 нм

Это фотодиод Si PIN, который работает при обратном смещении и обеспечивает высокую чувствительность в диапазоне от УФ до БИК.Максимальная длина волны отклика составляет 980 нм.Чувствительность: 0,3 А/Вт при 1064 нм.

РАССЛЕДОВАНИЕ деталь
Волоконно-кремниевые PIN-модули

Оптический сигнал преобразуется в текущий сигнал путем ввода оптического волокна.Модуль Si PIN имеет схему предварительного усиления, которая позволяет усиливать слабый сигнал тока и преобразовывать его в сигнал напряжения для достижения процесса преобразования усиления фотонного фотоэлектрического сигнала.

РАССЛЕДОВАНИЕ деталь
Четырехквадрантный Si PIN

Он состоит из четырех одинаковых блоков фотодиода Si PIN, который работает в обратном направлении и обеспечивает высокую чувствительность в диапазоне от УФ до БИК.Максимальная длина волны отклика составляет 980 нм.Чувствительность: 0,5 А/Вт при 1064 нм.

РАССЛЕДОВАНИЕ деталь
Четырехквадрантные Si PIN-модули

Он состоит из отдельных или двойных четырех одинаковых блоков фотодиода Si PIN со схемой предварительного усиления, которая позволяет усиливать слабый токовый сигнал и преобразовывать его в сигнал напряжения для достижения процесса преобразования усиления фотонного фотоэлектрического сигнала.

РАССЛЕДОВАНИЕ деталь
Si PIN-код с усиленным УФ-излучением

Это Si PIN-фотодиод с усиленным УФ-излучением, который работает в обратном направлении и обеспечивает высокую чувствительность в диапазоне от УФ до БИК.Максимальная длина волны отклика составляет 800 нм.Чувствительность: 0,15 А/Вт при 340 нм.

РАССЛЕДОВАНИЕ деталь
Лазер YAG 1064 нм -15 мДж-5

Это лазер Nd: YAG с пассивной модуляцией добротности с длиной волны 1064 нм, пиковой мощностью ≥15 мДж, частотой повторения импульсов 1 ~ 5 Гц (регулируемая) и углом расхождения ≤8 мрад.Кроме того, это небольшой и легкий лазер, способный достигать высокой выходной мощности, который может быть идеальным источником света на расстоянии для некоторых сценариев с жесткими требованиями к объему и весу, таких как индивидуальный бой и применение БПЛА в некоторых сценариях.

РАССЛЕДОВАНИЕ деталь
Лазер ИАГ 1064нм-15мДж-20

Это лазер Nd：YAG с пассивной модуляцией добротности с длиной волны 1064 нм, пиковой мощностью ≥15 мДж и углом расхождения ≤8 мрад.Кроме того, это небольшой и легкий лазер, который может быть идеальным источником света дальнего действия на высокой частоте (20 Гц).

РАССЛЕДОВАНИЕ деталь