Однотрубная серия PIN с четырьмя квадрантами

Модель: GT111/GT112/GD3250Y/GD3249Y/GD3244Y/GD3245Y/GD32413Y/GD32414Y/GD32415Y

Краткое описание:

Устройство представляет собой четыре кремниевых PIN-фотодиода с одинаковым блоком, работающих в условиях обратного смещения, спектральный отклик колеблется от видимого света до ближнего инфракрасного, максимальная длина волны отклика составляет 980 нм, а отклик на 1064 нм может достигать до 0,5 А. /В.

получить цитату Скачать

Технический параметр

ФУНКЦИИ

ПРИЛОЖЕНИЕ

Теги продукта

Фотоэлектрические характеристики (＠Ta＝22±3℃)
Модель	GT111	GT112	GD3250Y	ГД3249И	ГД3244И	ГД3245И	ГД32413И	ГД32414И	ГД32415И
Форма упаковки	ТО-8	ТО-8	ТО-8	ТО-20	ТО-31-7	ТО-31-7	MBCY026-P6	ТО-8	MBCY026-W7W
Размер светочувствительной поверхности (мм)	Φ4	Φ6	Φ8	Φ10	Φ10	Φ16	Φ14	Φ5.3	Φ11,3
Диапазон спектрального отклика (нм)	400~1100	400~1100	400~1100	400~1100	400~1100	400~1100	400~1100	400~1150	400~1150
Пиковая длина волны отклика (нм)	980	980	980	980	980	980	980	980	980
Чувствительность λ=1064 нм (А/Вт)	0,3	0,3	0,3	0,3	0,4	0,4	0,4	0,5	0,5
Темновой ток (нА)	5(В_R=40В)	7(В_R=40В)	10(В_R=40В)	15(В_R=40В)	20(В_R=135В)	50 (В_R=135В)	40(В_R=135В)	4,8 (В_R=140В)	≤20(В_R=180В)
Время нарастания In = 1064 нм RL = 50 Ом (нс)	15(В_R=40В)	20(В_R=40В)	25(В_R=40В)	30(В_R=40В)	20(В_R=135В)	30(В_R=135В)	25(В_R=135В)	15(В_R=140В)	20(В_R=180В)
Емкость перехода f = 1 МГц (пФ)	5(В_R=10В)	7(В_R=10В)	10(В_R=10В)	15(В_R=10В)	10(В_R=135В)	10(В_R=135В)	16(В_R=135В)	4,2 (В_R=140В)	10(В_R=180В)
Напряжение пробоя (В)	100	100	100	100	300	300	300	≥300	≥250

Низкий темновой ток

Высокая отзывчивость

Хорошая квадрантная согласованность

Небольшое слепое пятно

Устройство лазерного наведения, слежения и разведки

Лазерное микропозиционирование, мониторинг перемещений и другие системы точного измерения