Четырехквадрантный APD
Функции
- Плоский чип с лицевой подсветкой
- Высокочастотный отклик, высокий коэффициент усиления
- Большое принимающее поле зрения
Приложения
- Лазерное наведение
- Лазерное сближение и стыковка
- Лазерное позиционирование
Фотоэлектрический параметр（@Ta=22±3℃）
| Предмет # |
Категория пакета |
Диаметр светочувствительной поверхности (мм) |
Диапазон спектрального отклика (нм) | Отзывчивость М=100 λ=1064нм (кВ/Вт)
| Темный ток М=100, l=1064 нм (нА) |
Время подъема (нс) | Температурный коэффициент Ta=-40℃～85℃ (В/℃)
| Общая емкость (ПФ) | Напряжение пробоя (В) | Квадрант Несоответствие (%) | Квадрантные перекрестные помехи (%) | ||
|
тип.
| Максимум. | Мин. | Максимум |
Максимум. |
Максимум. | ||||||||
|
ГД5241И |
ТО-8 | 4.0 Разделительная линия квадранта 0,1 мм |
400～1100 | 40 |
40 |
100 |
3,5 |
3.2 |
4.0 |
350 |
500 |
5 |
5 |
