Модули APD 1064 нм
Функции
- Плоский чип с лицевой подсветкой
- Высокая скорость отклика
- Высокий коэффициент усиления APD
Приложения
- Лазерная локация
- Лазерная связь
- Лазерное предупреждение
Фотоэлектрический параметр（@Ta=22±3℃）
| Предмет # | Категория пакета | Диаметр светочувствительной поверхности (мм) | Спектральный диапазон отклика (нм) |
Напряжение пробоя (В) | Отзывчивость М=100 λ=1064нм (кВ/Вт)
|
Время подъема (нс) | Пропускная способность (МГц) | Температурный коэффициент Та=-40℃～85℃ (В/℃)
| Эквивалентная мощность шума (пВт/√Гц)
| Концентричность (мкм) | Замененный тип в других странах |
| ГД6212И |
ТО-8
| 0,8 |
40～1100 | 350～500 | 150 | 8,8 | 40 | 2.2 | 0,15 | ≤50 | C30950 |
| ГД6213И | 200 | 2 | 175 | C30659-1060-R8BH | |||||||
| ГД6219И | 3 | 280 | 7 | 50 | 2,4 | 0,27 | C30659-1060-3A |
